Цифровые технологии

Традиционно для производства ReRAM-модулей использовалась пленка из оксида никеля (NiO). Ученые из Fujitsu Labs предложили использовать пленку, легированную титаном (Ti:NiO), и провели исчерпывающие испытания ее производительности в сочетании с обычным транзистором.

В ходе эксперимента исследователям удалось осуществить операцию по очистке памяти всего за 5 наносекунд (приблизительно в 10 000 быстрее, чем когда-либо ранее). В то же время, отклонение величины сопротивления было сокращено в десять раз, по сравнению с существующими ReRAM-модулями.

Предполагается, что в будущем открытие японских ученых позволит существенно повысить производительность мобильных устройств, в которых будет применяться память нового типа, сообщает techon.nikkeibp.co.jp.